1.MOCVD磊晶：載氣、反應前驅物、腔體氣流、加熱與溫度校正、壓力、V/III比、反應機制。

2.與磊晶層之介紹：緩衝層、晶格匹配、臨界厚度、橫向成長、基板、摻雜、摻雜、均勻度。

3.及時監測系統：光反射光譜分析、光干涉、質譜儀。

4.品質檢測。光激光譜(PL)、X光繞射光譜、掃描電子顯微鏡、穿透式電子