國際半導體技術藍圖(International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)規劃2014年起將進入1x奈米節點，Samsung及Globalfoundries聯盟於2014年宣告量產14nm製程，而台積電於2015年使用16nm製程技術量產Fin FET結構，面對僅僅數十個原子的製程寬度，挑戰十分艱鉅。目前市場上主要是EUV與多重電子束微影(Multiple E-beam)兩大技術在角逐下世代的微影技術，但兩者都有著難以解決的問題，因此雙方陣營仍呈現拉鋸的局面；由於光學式的曝光系統即將面臨極限，加上在進行雙重、三次或甚至四次微影曝光時，越來越昂貴的光罩成本已經和Maskless製程成本相當，因此直寫(Direct writing)的製程又重新回到半導體產業的未來選項之中。

直寫製程適合量少與多樣性的design house與晶圓廠，eASIC、富士通(Fujitsu)和意法微電子(STMicroelectronics)等晶片製造商使用直寫電子束技術來開發小量的專用積體電路(Application-specific integrated circuit, ASIC)和系統晶片(System on a chip, SoC)產品；本次論壇將探討電子束微影製程與創新多合金離子束製程的製程整合問題、製程解析度、元件應用、鄰近效應…等議題，歡迎各界踴躍參與。

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