活動電子報
[免費~名額有限!]《6/18(四) 2015微奈米機電暨直寫製程技術論壇》

活動名稱:6/18(四) 2015微奈米機電暨直寫製程技術論壇
活動內容:

國際半導體技術藍圖(International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)規劃2014年起將進入1x奈米節點,SamsungGlobalfoundries聯盟於2014年宣告量產14nm製程,而台積電於2015年使用16nm製程技術量產Fin FET結構,面對僅僅數十個原子的製程寬度,挑戰十分艱鉅。目前市場上主要是EUV與多重電子束微影(Multiple E-beam)兩大技術在角逐下世代的微影技術,但兩者都有著難以解決的問題,因此雙方陣營仍呈現拉鋸的局面;由於光學式的曝光系統即將面臨極限,加上在進行雙重、三次或甚至四次微影曝光時,越來越昂貴的光罩成本已經和Maskless製程成本相當,因此直寫(Direct writing)的製程又重新回到半導體產業的未來選項之中

直寫製程適合量少與多樣性design house與晶圓廠,eASIC、富士通(Fujitsu)和意法微電子(STMicroelectronics)等晶片製造商使用直寫電子束技術來開發小量的專用積體電路(Application-specific integrated circuit, ASIC)和系統晶片(System on a chip, SoC)產品;本次論壇將探討電子束微影製程創新多合金離子束製程的製程整合問題、製程解析度、元件應用、鄰近效應等議題,歡迎各界踴躍參與

活動流程:

成大聯絡:

 

 

時間

議程

主講人

13:30-14:00

報到

14:00-15:00

電子束微影製程論壇

成功大學微奈米科技研究中心

鍾崇仁  博士

15:10-16:10

多合金離子束製程論壇

Raith GmbH

Dr. Andrew Yu

16:10-17:00

Coffee break交流會

時間日期:2015/06/18~2015/06/18 PM02:00~PM05:00
地點:南科研發中心台達大樓105教室(台南市新市區西拉雅大道61號)
主講人:鍾崇仁 博士/成功大學微奈米科技研究中心 、 Dr. Andrew Yu/Raith GmbH
費用: 園區內:免費 / 園區外:免費
報名條件:

成大聯絡:

06-2384278分機813  黃詩芸  irene@aicsp.org.tw

 06-2757575轉31380轉203 許郁佩  yupei@mail.ncku.edu.tw

主辦單位:國家型奈米產學橋接計畫辦公室、國立成功大學微奈米科技研究中心
協辦單位:社團法人中華民國南部科學園區產學協會