成大「晶體研究中心」於南科台達大樓揭牌 提升SiC晶體生長技術全球競爭力

2025年02月26日~2025年02月26日

　　成功大學智慧半導體及永續製造學院於2月26日在南科成大台達大樓舉行「晶體研究中心」揭牌儀式，開幕典禮吸引產官學研各界代表齊聚，共同見證台灣晶體研究發展的重要時刻。「晶體研究中心」匯集了中山及成大研究能量，成為國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構，標誌著臺灣在碳化矽(SiC)與氧化鎵(Ga₂O₃)等第三代半導體材料技術上的新突破。

半導體學院院長蘇炎坤教授致詞提及中心揭牌，象徵學院在晶體研究領域的重要突破，並進一步拓展前端材料技術的研究範疇。中心主持人周明奇也表示，本次中心的成立吸引國內外龍頭企業大力支持。國內有大立光電集團投入數千萬元建置最先進的晶體生長設備，並額外投入經費專注於氧化鎵技術開發與技術轉移，使研究規模擴增三倍，推動臺灣在全球晶體技術競爭中的領導地位。國外產學合作，亦積極拓展國際布局，在立陶宛與拉脫維亞設立研究據點，未來也歡迎兩校的師生，前往研究據點進修。

　　中心位於台南科學園區內，為南科產業聚落提供更完善的研發、測試環境與技術支援，加速技術轉移，推動 SiC 與氧化鎵（Ga₂O₃）材料在半導體、光學、雷射及醫療領域的應用，提升台灣在全球市場的競爭力，並強化產學合作及共同開發關鍵技術，促進臺灣半導體產業升級。南科產學協會將一同共襄盛舉，運用資源持續深化協會平台所有大專院校及大南方產業鏈間之協力合作，促進企業技術轉型升級與培訓人才永續，落實大南方新矽谷願景並力挺南台灣科技產業在全球市場保持競爭優勢。


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